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更新時間：2021-08-30 
瀏覽次數：703快速退火爐是現代大范圍集成電路消費工藝過程中的關鍵配備。主要用于離子注入后雜質的激活、淺結制造、生長高質量的氧化膜層和金屬硅化物合金構成等工藝。隨著集成電路工藝技術的飛速開展，展開快速退火爐系統的技術研討，對國內開發和研討具有自主學問產權的快速退火爐配備，有著非常重要的理論意義和工程應用價值。
公司針對現代半導體器件退火工藝對快速退火爐系統的技術請求，在綜合剖析國內外各種快速退火滬系統技術根底上，經過深化的剖析研討，設計了系統總體技術計劃。擬定采用燈光輻射型熱源安裝，上下兩排成正交的燈管組對位于其中間的半導體硅片停止直接加熱完成溫度的快速上升，以單點測溫作為溫度丈量的處理計劃作為系統總體計劃。
依據熱傳導根本理論，以完成系統總體技術指標作為己知參數計算得到系統所需求的熱功率，在此根底上完成熱源與反響腔體、冷卻系統、送氣系統等部件的設計。經過剖析影響硅片外表溫度邊緣效應的要素，提出燈管分區及分區控制的設計計劃，完成硅片外表溫度的平均性。
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